光刻膠檢測去哪里做?中析檢測實驗室可對各類同種光刻膠進行檢測，包括倒梯形正性光刻膠、KrF光刻膠、UV?CTP光刻膠、半導體光刻膠清洗劑等，出具第三方同光刻膠檢測報告。
檢測范圍
LCD 用正性光刻膠、PS光刻膠、光刻膠原液、耐刻蝕的正性光刻膠、倒梯形正性光刻膠、KrF光刻膠、UV?CTP光刻膠、半導體光刻膠清洗劑、涂覆有光刻膠的彩色濾光片載體、樹脂及含其的193nm干法光刻膠、高純光刻膠樹脂、環糊精包合物分子玻璃光刻膠、用于OLED陣列制造的正性光刻膠、有機無機雜化飛秒激光直寫光刻膠、用于先進封裝負性厚膜光刻膠、透明無機熱敏光刻膠等。
檢測項目
總磷含量和磷酸鹽含量、殘膜率、OD值，色域面積，對比度，
測試一：樣品在-40℃保溫2小時，測試抗拉負荷
測試二：樣品在105℃保溫2小時，測試抗拉負荷
厚度檢測：光刻膠的厚度是關鍵參數之一，影響著光刻工藝的精度。
均勻性檢測：光刻膠在晶圓上的分布均勻性對工藝結果有重要影響。檢測光刻膠的均勻性可以幫助確保整個晶圓表面光刻膠的一致性。
靈敏度檢測：光刻膠的靈敏度決定了其對光的響應程度，影響著光刻圖案的轉移質量。一種光刻膠靈敏度的檢測方法包括：量測待測光刻膠層的初始厚度值。基于預設透光率的掩模板對光刻膠層進行曝光、顯影。量測顯影處理后的光刻膠層的測試厚度值。根據初始厚度值和測試厚度值確定光刻膠的靈敏度。
質量檢測：通過特定的監控半導體襯底進行光刻工藝，然后利用刻蝕工藝去除光刻膠，并在襯底上進行薄膜沉積工藝，最后對形成的半導體膜層進行檢測，以判斷光刻膠的質量。
殘留和污染物檢測：隨著集成電路尺寸的減小，檢測晶圓上的光刻膠殘留和有機污染物變得越來越重要。光學顯微鏡是一種常見的檢測方法，但對于更小尺寸的污染物，可能需要更先進的技術，如掃描電子顯微鏡(SEM)或原子力顯微鏡(AFM)。
檢測儀器
中析檢測優勢
1:認可，國際互認，報告廣泛采信
2:萬家合作企業，檢測測試經驗豐富，認證有效性強
3:全國多家分支機構，提供就近快速節省優質的服務
4:一站式服務能力(整合分析、檢測、工業診斷領域一站式服務，節省時間降低成本)
5:客戶滿意度高，充分體現了中析檢測服務帶給客戶的貢獻
中科光析科學技術研究所報告的作用
1、在產品銷售或采購時，幫助交易雙方增進信任，促進成交;
2、在工程或項目投標時，證明產品質量;
3、在爭議仲裁，通過技術判斷協助區分各方責任;
4、在工藝改進或科研時，利用數據分析，查找問題根源。
CMA認證
檢驗檢測機構資質認定證書
證書編號：241520345370
有效期至：2030年4月15日
CNAS認可
實驗室認可證書
證書編號：CNAS L22006
有效期至：2030年12月1日
ISO認證
質量管理體系認證證書
證書編號：ISO9001-2024001
有效期至：2027年12月31日
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